固體徑跡蝕刻測量系統(tǒng) —氡中子輻射

DNS-1固體徑跡蝕刻測量系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹

DNS-1固體徑跡蝕刻測量系統(tǒng)是一款全自動的,高性能的固體徑跡分析系統(tǒng)，可用來進行氡濃度和中子劑量測量。對γ射線、β射線不靈敏。徑跡分析單元采用高性能的Nikon光學器件,3D機動控制系統(tǒng)，可快速/精確地分析批量的探測器。

產(chǎn)品特點

v n全自動分析批量探測器，單次可讀取64片探測器（1cm×1cm），單次分析數(shù)量連續(xù)可調(diào)

v n全自動校正響應衰變

v n本底低探測限可達5 kBq/m³，高探測限可達15 MBq/m³

v n線性度好于3%

v n具有自動分辨氡/釷的能力

v n全自動讀出ID號

v n自動對焦，高性能成像技術，可區(qū)分蝕刻徑跡和本底

v n可全自動讀取徑跡探測器信息，包括自動識別探測器編碼、自動測量探測器徑跡計數(shù)、自動識別有效徑跡、標記徑跡的絕對位置

v n徑跡讀數(shù)自動轉換成劑量，結果保存在數(shù)據(jù)庫中，還可把數(shù)據(jù)導出到Excel表中

DNS-1固體徑跡蝕刻測量系統(tǒng)技術參數(shù)

蝕刻單元

v n蝕刻溶液：6.25mol/L氫氧化鈉溶液

v n蝕刻溫度：95℃

v n蝕刻時間：<5小時

v n單次最大蝕刻數(shù)量：≥250個（1cm*1cm，CR-39），蝕刻數(shù)量連續(xù)可調(diào)

v n蝕刻速率：蝕刻溫度為98 ℃時，速率為10μm/h

v n自動控制整個化學蝕刻過程，并顯示當前工作狀態(tài)

v n腔體采用堅固耐用抗腐蝕的高強度材料

分析單元

v  徑跡分析單元采用高性能的Nikon光學器件,步進電機為3D機動控制系統(tǒng)，垂直水平方向精度可達0.1mm，可對相機運行進行編程

v n可自動識別徑跡，并自動扣除本底信號

v n可建立探測器徑跡數(shù)據(jù)庫并查看和計算測量結果

v 實時顯示相機圖像，并將掃描數(shù)據(jù)轉換為劑量值，數(shù)據(jù)可輸出至其他軟件,如Excel

v n可通過軟件實時顯示識別圖像及徑跡位置

v n每個探測器徑跡圖像以圖片形式存，可通過軟件進行徑跡位置、徑跡形態(tài)、徑跡數(shù)量等數(shù)據(jù)分析，可人工進行徑跡數(shù)據(jù)進行有效性判定。

v n可掃描各種尺寸的CR39探測器

v n當徑跡密度大于1000計數(shù)/cm²,其測量重復性誤差小于1%

v n線性：≤4%

v n重復性：≤1%

v n識別本底：0.5tracks/mm²

v n探測限:對于氧測量，5Bq/m3~ 15MBq/m3:對于中子劑量測量，其劑量下限小于0.25mSv (相對不確定度≤25%)

v n放大倍數(shù)：≥100倍

v n徑跡識別密度：≥160 tracks/mm²

v n徑跡分析區(qū)域：≥80mm²（1cm×1cm，CR39）

v n探測器分析時間：≤30s（1cm×1cm，CR39）

v n連續(xù)工作能力：≥150chips/h（1cm×1cm，CR39）

v n進行二次分析和統(tǒng)計

v n測量結果可輸多種文件格式

v n電源：220V 50Hz

氡探測器

v n材料：CR-39

v n照射時間：3個月或更長

v n本底：少于20 tracks /cm^-2

v n不確定度：小于1 Bq m^-3

中子探測器

v n材料：CR-39

v n探測下限：20 mSv

v n精確度：±12.6% (100 mrem~3.400 mrem)

v n準確度：0.7%(100 mrem~3.400 mrem)

v n快中子能量范圍：200 keV~15 MeV

v n厚度：1.5mm